郑有炓，半导体材料与器件物理领域的著名专家，2003年当选为中国科学院院士。他长期专注于新型半导体异质结构材料与器件的研究，是我国半导体领域的开拓者之一。
郑有炓院士在半导体材料的生长、结构特性以及器件物理方面取得了诸多开创性成果。他带领团队在半导体异质结构材料的制备、性能优化以及相关器件的研发上不断突破，推动了我国半导体技术从基础研究到实际应用的跨越发展。他的研究成果为我国半导体产业的自主创新和技术进步奠定了坚实基础，特别是在半导体照明、光电子器件等领域，为我国在全球半导体领域占据一席之地作出了重要贡献。
郑有炓院士在国内外学术界享有极高声誉，发表了大量高质量的学术论文，培养了众多优秀科研人才。尽管年事已高，他依然活跃在科研一线，为我国半导体事业的发展继续贡献力量。